1樓：
肖特基二極體是***(金、銀、鋁、鉑等)a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為n型半導體中存在著大量的電子，***中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴散。顯然，金屬a中沒有空穴，也就不存在空穴自a向b的擴散運動。
隨著電子不斷從b擴散到a，b表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為b→a。但在該電場作用之下，a中的電子也會產生從a→b的漂移運動，從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢.
典型的肖特基整流管的內部電路結構是以n型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的n-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料製成阻檔層。用二氧化矽(sio2)來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。
n型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較h-層要高100%倍。在基片下邊形成n+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構引數，n型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。
當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，n型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結構原理與pn結整流管有很大的區別通常將pn結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，採用矽平面工藝製造的鋁矽肖特基二極體也已問世，這不僅可節省***，大幅度降低成本，還改善了引數的一致性。
2樓：每天的短
我已經在你發的其他帖子中回答過你，請參考。
更具體的你可以查閱其他資料，也可以看看下面的文庫裡關於肖特基二極體的資料，比較詳細了，鏈結見下：
3樓：
肖特基（schottky）二極體是一種快恢復二極體,它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正嚮導通壓降僅0.4v左右。
肖特基（schottky）二極體多用作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體，也有用在微波通訊等電路中作整流二極體、小訊號檢波二極體使用。常用在彩電的二次電源整流,高頻電源整流中。
什麼是肖特基二極體，有何特點？
4樓：技能兩分鐘
肖特基二極體和普通二極體什麼區別？和快恢復二極體是一種嗎？很多人還分不清
5樓：匿名使用者
這裡面有你想要的答案
肖特基二極體與一般的二極體有什麼區別呢？電路中為什麼有的地方選的是肖特基二極體呢？謝謝高手指點！！
6樓：匿名使用者
功耗低是肖特基二極體和普通二極體相比的一大優點。
肖特基二極體與普通二極體有什麼區別？
7樓：南非烏雀
矽管的初始導通壓降是0.5v左右，正常導通壓降是0.7v左右，在接近極限電流情況下導通壓降是1v左右；
鍺管的初始導通壓降是0.2v左右，正常導通壓降是0.3v左右，在接近極限電流情況下導通壓降是0.4v左右，
肖特基二極體的初始導通壓降是0.4v左右，正常導通壓降是0.5v左右，在接近極限電流情況下導通壓降是0.8v左右。
兩種二極體都是單向導電，可用於整流場合。區別是普通矽二極體的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電，最後導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極體的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源採用此種二極體作為整流輸出用，儘管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。
快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體(5us以下)，工藝上多採用摻金措施，結構上有採用pn結型結構，有的採用改進的pin結構。其正向壓降高於普通二極體(1-2v)，反向耐壓多在1200v以下。從效能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。
前者反向恢復時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。 肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體(schottky barrier diode)，具有正向壓降低(0.4--0.
5v)、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150v，多用於低電壓場合。 這兩種管子通常用於開關電源。 肖特基二極體和快恢復二極體區別：
前者的恢復時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~! 前者的優點還有低功耗，大電流，超高速~!電氣特性當然都是二極體阿~!
快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。
8樓：簷下汀雨聲
肖特基二極體和普通二極體有什麼不同，它到底有什麼優缺點
9樓：肥城_龍山中學
呵呵，你好~
肖特基整流管的結構原理與pn結整流管有很大的區別，通常將pn結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管。
肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數載流子的積累，
因此，不存在電荷儲存問題（qrr→0），使開關特性獲得時顯改善。
其反向恢復時間已能縮短到10ns以內。
但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100v。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。
利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率，而普通二極體就不具備這些特點。
肖特基（schottky）二極體的最大特點是正向壓降 vf 比較小。
在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。
另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。
在高電壓整流電路應用時，還是應該選用普通pn結整流二極體。
什麼是肖特基二極體,主要用途和原理是什麼?
10樓：匿名使用者
肖特基（schottky）二極體是一種快恢復二極體,它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正嚮導通壓降僅0.4v左右。
肖特基（schottky）二極體多用作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體，也有用在微波通訊等電路中作整流二極體、小訊號檢波二極體使用。常用在彩電的二次電源整流,高頻電源整流中。
11樓：電工小為
維修中經常用到的器件肖特基二極體，原理及判斷方法！
二極體基礎知識：什麼是肖特基二極體?
12樓：逍遙九少
肖特基二極體是***(金、銀、鋁、鉑等)a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。
原理因為n型半導體中存在著大量的電子，***中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴散。顯然，金屬a中沒有空穴，也就不存在空穴自a向b的擴散運動。隨著電子不斷從b擴散到a，b表面電子濃度表面逐漸降低，表面電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為b→a。
但在該電場作用之下，a中的電子也會產生從a→b的漂移運動，從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
肖特基二極體的原理是什麼？
13樓：
肖特基二極體不是利用p型半導體或者n型半導體接觸形成pn結的原理製作，而是利用少量金屬與半導體接觸後形成的金屬半導體。所以，肖特基二極體也稱為金屬半導體（接觸）肖特基二極體是***稱a為陽極，把n型半導體b稱為陰極，它利用a與n接觸面上形成的勢壘，讓它具有整流特性而製成的多屬半導體原器件。這種部件的構成相對的比較複雜，我們需要很耐心的具體了解。
14樓：電工小為
維修中經常用到的器件肖特基二極體，原理及判斷方法！
15樓：辰達君
肖特基二極體製冷應用在於1834年發現的爾帖效應的原理上，肖特基二極體內部有上百對對n型和p型的肖特基二極體材料（碲化鉍）粒子，這個肖特基二極體元件在電路上是用串聯形式連線組成.當一塊n型肖特基二極體材料和一塊p型肖特基二極體材料聯結成電偶對，在這個電路中接通乙個直流電源後，就能發生能量的轉移，電流由n型元件流向p型元件的接頭吸引熱量，成為冷端。
就是冰包內部的製冷鋁，電流由p型元件流向n型元件的接頭釋放熱量，成為熱端。所以肖特基二極體就會有一面冷一面熱，肖特基二極體製冷片它要製冷，就必須要將熱排走，否則就會低消製冷的效果。所以熱端就要加散熱鋁和風扇來幫助散熱。
以上回答由mdd辰達行電子提供
肖特基二極體的工作原理是什麼呢？
16樓：
肖特基二極體嗎？這種產品在通訊電源、變頻器是比較常見的。它的主要工作原理是：
肖特基二極體是***（金、銀、鋁、鉑等）a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為n型半導體中存在著大量的電子，***中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴散。顯然，金屬a中沒有空穴，也就不存在空穴自a向b的擴散運動。
隨著電子不斷從b擴散到a，b表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為b→a。但在該電場作用之下，a中的電子也會產生從a→b的漂移運動，從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
深圳廣盛電子為你解答，希望可以幫助到你哦，有什麼問題可以繼續問我，哈哈。
17樓：蒼山小冷
肖特基二極體是***（金、銀、鋁、鉑等）a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為n型半導體中存在著大量的電子，***中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴散。顯然，金屬a中沒有空穴，也就不存在空穴自a向b的擴散運動。
隨著電子不斷從b擴散到a，b表面電子濃度表面逐漸降輕工業部，表面電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為b→a。但在該電場作用之下，a中的電子也會產生從a→b的漂移運動，從而削弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
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